Каталог статей

В настоящее время чипы вытравливаются глубоким ультрафиолетом с длиной волны в 193 нанометра. Но из-за уменьшения производственной геометрии – вплоть до 28 нанометров в некоторых случаях – их изготовители упираются в жёсткий технологический барьер.

И именно здесь появляется Экстремальный ультрафиолет — высокоэнергетическое УФ-излучение с длиной волны между 124 и 10 нанометрами. Его более короткая длина волны позволяет добиться большей точности, а это может обеспечить производителей чипов надёжным технологическим инструментом ещё на несколько лет. Прежде этот метод сдерживался одним крайне важным фактором: было очень сложно получить ЭУФ свет достаточной мощности. Без достаточной интенсивности вытравить чип ЭУФ-лучом либо невозможно, либо невероятно медленно.

Однако теперь, разработчик промышленных технологий ASML объявил о том, что ему удалось создать коммерческий прототип ЭУФ-устройства, которое сможет генерировать свет в 80 ватт энергии в этом году, и – вполне возможно – 250 ватт в 2014. Располагая такой мощностью, можно будет протравливать 125 листов кремния в час. Этого слишком мало для потребностей, скажем Intel – который сообщает, что ему необходимо 1000 ватт мощности для удовлетворения своих производственных нужд – но всё же это выход из сложившегося технологического тупика.

И он появился как нельзя вовремя. Дело в том, что к 2015 году производители чипов надеются достичь техпроцесса в 10 нанометров – а это будет абсолютно невозможно с использованием обычного ультрафиолетового света.